“The original content of this issue was removed because this part of the project is no longer actively maintained.
This is everything I can make publicly available. If anyone wants to build on it or develop
something further from it, feel free to do so.
Good luck, and thank you for your interest.”
EN:
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS
Rare‑Earth‑Free, Sustainable, High‑Speed Non‑Volatile Memory Architecture
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS is a next‑generation memory concept designed for
high‑speed operation, full CMOS compatibility, and radically reduced ecological impact.
The architecture eliminates refresh cycles, avoids rare earth materials,
and enables manufacturing on existing 65–90 nm DUV fabs.
Comparison Table: GreenRAM V2.1 UHS vs. Industry Standards
| Parameter |
Standard DRAM (DDR5/6) |
Conventional ReRAM |
STT-MRAM (High-End) |
GreenRAM V2.1 UHS |
| Latency (Switching Time) |
$\sim 12.5\text{ ns}$ |
$10 - 100\text{ ns}$ |
$2 - 10\text{ ns}$ |
$5.0\text{ ns}$ |
| Volatility |
Volatile (Data Loss) |
Non-Volatile |
Non-Volatile |
Non-Volatile |
| Endurance (Write Cycles) |
High ($> 10^{16}$) |
$10^6 - 10^9$ |
$10^{12}$ |
$10^{15}$ (Server-Grade) |
| Energy Consumption |
High (Refresh Cycles) |
Medium |
Low |
Very Low ($-85%$) |
| Manufacturing Node |
$< 14\text{ nm}$ (EUV) |
Variable |
Variable |
$65\text{ nm}$ (DUV) |
| CO2 Footprint |
$\sim 120\text{ kg/Unit}$ |
Unknown |
High |
$25\text{ kg/Unit}$ |
| Cooling |
External (Passive/Active) |
None (Degradation) |
Limited |
Integrated hBN-Stack |
Technical Highlights for Reproducibility
-
Switching Kinetics: Optimized by reducing the active layer thickness to $3.5\text{ nm}$ to maximize the electric field strength $E$.
-
Thermal Stability: Utilization of an hBN-graphene superlattice to dissipate Joule heating ($k_{hBN} \approx 400\text{ W/mK}$), keeping the cell temperature below $450\text{ K}$.
-
Ecological Integrity: Complete avoidance of energy-intensive EUV lithography; optimized for existing $65\text{ nm}$ DUV infrastructure.
📘 Key Features
- ⚡ Luminarit‑GreenRAM V2 <10ns | GreenRAM_V2.1–Server‑Grade <8ns | GreenRAM_V2.1_UHS <5 ns latency
- 🔋 0 W idle power (no refresh)
- 🌱 0% rare earth elements
- 🏭 Manufacturable on existing 200/300 mm fabs
- ♻️ Massively reduced CO₂ footprint
- 🧪 HfO₂:N / TiOx ultra‑fast RRAM stack
- 🧱 1T1R architecture with multi‑bank parallelization
📄 License
Use of Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS is permitted,
but requires fair revenue sharing to fund future sustainable technology development.
Full license text:
📬 Contact
For licensing, collaboration, research inquiries or commercial use:
Name: Emanuel Schaaf
Email: emanuel.schaaf@outlook.com
Location: Pirmasens, Germany
Role: Architect & Originator of the Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS Technology
📂 New Repository Structure GreenRAM_V2.1_UHS
📂 Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1–Server‑Grade
📂 Repository‑Struktur Luminarit‑GreenRAM-V2
📂 Repository‑Struktur
🌍 Mission Statement
“Performance alone is no longer enough.
Technology must protect the environment — and GreenRAM delivers exactly that.”
DE:
Luminarit‑GreenRAM V2
Seltenerd‑frei, nachhaltig, hochperformant – die nächste Generation nicht‑flüchtiger Speichertechnologie
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS ist ein neuartiges Speicherkonzept, das für
High‑Speed‑Betrieb, volle CMOS‑Kompatibilität und eine drastisch reduzierte
ökologische Belastung entwickelt wurde.
Die Architektur eliminiert Refresh‑Zyklen, verzichtet vollständig auf seltene Erden
und kann in bestehenden 65–90 nm DUV‑Fabs gefertigt werden.
Vergleichstabelle: GreenRAM V2.1 UHS vs. Industriestandards
| Parameter |
Standard DRAM (DDR5/6) |
Herkömmlicher ReRAM |
STT-MRAM (High-End) |
GreenRAM V2.1 UHS |
| Latenz (Schaltzeit) |
$\sim 12,5\text{ ns}$ |
$10 - 100\text{ ns}$ |
$2 - 10\text{ ns}$ |
$5,0\text{ ns}$ |
| Volatilität |
Volatil (Datenverlust) |
Non-Volatil |
Non-Volatil |
Non-Volatil |
| Endurance (Schreibzyklen) |
Hoch ($> 10^{16}$) |
$10^6 - 10^9$ |
$10^{12}$ |
$10^{15}$ (Server-Grade) |
| Energieverbrauch |
Hoch (Refresh-Zyklen) |
Mittel |
Niedrig |
Sehr Niedrig ($-85%$) |
| Fertigungs-Node |
$< 14\text{ nm}$ (EUV) |
Variabel |
Variabel |
$65\text{ nm}$ (DUV) |
| CO₂-Fußabdruck |
$\sim 120\text{ kg/Einheit}$ |
Unbekannt |
Hoch |
$25\text{ kg/Einheit}$ |
| Kühlung |
Extern (Passiv/Aktiv) |
Keine (Degradation) |
Begrenzt |
Integrierter hBN-Stack |
Technische Highlights für die Reproduzierbarkeit
-
Schaltkinetik: Optimiert durch Reduktion der aktiven Schichtdicke auf $3,5\text{ nm}$ zur Maximierung der Feldstärke $E$.
-
Thermische Stabilität: Nutzung eines hBN-Graphen-Superlattice zur Ableitung der Jouleschen Wärme ($k_{hBN} \approx 400\text{ W/mK}$), wodurch die Zelltemperatur unter $450\text{ K}$ bleibt.
-
Ökologische Integrität: Vollständiger Verzicht auf energieintensive EUV-Lithografie; optimiert für bestehende $65\text{ nm}$ DUV-Infrastruktur.
🚀 Hauptmerkmale
- ⚡ Luminarit‑GreenRAM V2 <10ns | GreenRAM_V2.1–Server‑Grade <8ns | GreenRAM_V2.1_UHS <5ns Latenz
- 🔋 0 W Idle‑Verbrauch (kein Refresh)
- 🌱 0 % seltene Erden
- 🏭 Fertigung auf bestehenden 200/300‑mm‑Fabs möglich
- ♻️ Massiv reduzierter CO₂‑Fußabdruck
- 🧪 HfO₂:N / TiOx Ultra‑Fast‑RRAM‑Stack
- 🧱 1T1R‑Zelle mit Multi‑Bank‑Parallelisierung
📄 Lizenz
Die Nutzung von Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS ist erlaubt,
setzt jedoch eine faire Gewinnbeteiligung zur Finanzierung zukünftiger
nachhaltiger Technologieprojekte voraus.
Vollständiger Lizenztext:
📬 Kontakt
Für Lizenzierung, Kooperationen, Forschungsanfragen oder kommerzielle Nutzung:
Name: Emanuel Schaaf
E‑Mail: emanuel.schaaf@outlook.com
Standort: Pirmasens, Deutschland
Rolle: Architekt & Urheber der Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS Technologie
📂 Neue Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1_UHS
📂 Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1–Server‑Grade
📂 Repository‑Struktur Luminarit‑GreenRAM-V2
📂 Repository‑Struktur
🌍 Leitgedanke
„Leistung allein reicht nicht mehr.
Technologie muss die Umwelt schützen – und genau das tut GreenRAM.“
EN:
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS
Rare‑Earth‑Free, Sustainable, High‑Speed Non‑Volatile Memory Architecture
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS is a next‑generation memory concept designed for
high‑speed operation, full CMOS compatibility, and radically reduced ecological impact.
The architecture eliminates refresh cycles, avoids rare earth materials,
and enables manufacturing on existing 65–90 nm DUV fabs.
Comparison Table: GreenRAM V2.1 UHS vs. Industry Standards
Technical Highlights for Reproducibility
📘 Key Features
📄 License
Use of Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS is permitted,
but requires fair revenue sharing to fund future sustainable technology development.
Full license text:
📬 Contact
For licensing, collaboration, research inquiries or commercial use:
Name: Emanuel Schaaf
Email: emanuel.schaaf@outlook.com
Location: Pirmasens, Germany
Role: Architect & Originator of the Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS Technology
📂 New Repository Structure GreenRAM_V2.1_UHS
📂 Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1–Server‑Grade
📂 Repository‑Struktur Luminarit‑GreenRAM-V2
📂 Repository‑Struktur
🌍 Mission Statement
DE:
Luminarit‑GreenRAM V2
Seltenerd‑frei, nachhaltig, hochperformant – die nächste Generation nicht‑flüchtiger Speichertechnologie
Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS ist ein neuartiges Speicherkonzept, das für
High‑Speed‑Betrieb, volle CMOS‑Kompatibilität und eine drastisch reduzierte
ökologische Belastung entwickelt wurde.
Die Architektur eliminiert Refresh‑Zyklen, verzichtet vollständig auf seltene Erden
und kann in bestehenden 65–90 nm DUV‑Fabs gefertigt werden.
Vergleichstabelle: GreenRAM V2.1 UHS vs. Industriestandards
Technische Highlights für die Reproduzierbarkeit
🚀 Hauptmerkmale
📄 Lizenz
Die Nutzung von Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS ist erlaubt,
setzt jedoch eine faire Gewinnbeteiligung zur Finanzierung zukünftiger
nachhaltiger Technologieprojekte voraus.
Vollständiger Lizenztext:
📬 Kontakt
Für Lizenzierung, Kooperationen, Forschungsanfragen oder kommerzielle Nutzung:
Name: Emanuel Schaaf
E‑Mail: emanuel.schaaf@outlook.com
Standort: Pirmasens, Deutschland
Rolle: Architekt & Urheber der Luminarit‑GreenRAM V2 & Luminarit‑GreenRAM_V2.1–Server‑Grade & GreenRAM_V2.1_UHS Technologie
📂 Neue Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1_UHS
📂 Repository‑Struktur GreenRAM_V2.1–Server‑Grade
📂 Repository‑Struktur Luminarit‑GreenRAM-V2
📂 Repository‑Struktur
🌍 Leitgedanke